Александр Шмидт

Опыт работы

• Senior Engineer

  Samsung Electronics, Сувон
  10001 и более человек, Производство / Радиоэлектронная промышленность

  Март 2009 — продолжаю работать

• Engineer (E-4)

  Samsung Electronics, Сувон http://www.samsung.ru
  101 — 1000 человек, Производство / Радиоэлектронная промышленность

  Январь 2007 — Март 2009

  Semiconductor business, Memory division, CAE team, Next-generation TCAD group.
  Компьютерное моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов. Разработка физических моделей имплантации и отжига и их интеграция в пакеты Sentaurus Process (Synopsys) и Sypros (Selete). Калибровка параметров физических моделей.

• Лаборант-исследователь

  ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
  1001 — 10000 человек, Наука, образование

  Февраль 2006 — Декабрь 2006

• Научный сотрудник

  СПб физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург
  101 — 1000 человек, Наука, образование

  Декабрь 2005 — Декабрь 2006

• Аспирант

  СПбГПУ, Санкт-Петербург

  Октябрь 2003 — Октябрь 2006

  Написал диссертацию, посвященную моделированию методом Монте-Карло различных процессов формирования и модификации полупроводниковых структур

• Мл. научный сотрудник

  СПб физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург
  101 — 1000 человек, Наука, образование

  Декабрь 2004 — Ноябрь 2005

• Преподаватель математики в подготовительной группе

  Лицей "Физико-техническая школа" (ФТШ), Санкт-Петербург
  11 — 100 человек, Наука, образование

  Октябрь 2002 — Май 2005

  Подогтовка учеников 9 класса к вступительному экзамену в 10 класс ФТШ по математике

• Visiting researcher

  TU Ilmenau, Илменау
  1001 — 10000 человек, Наука, образование

  Август 2002 — Ноябрь 2004

  Была совместная работа с немецкими экспериментаторами по росту карбида кремния на кремнии. Они растили, мы считали. Наездами провел почти 11 месяцев.

Образование

• ФТИ (Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН), Санкт-Петербург, Кандидат наук

  физика конденсированного состояния

  2003 — 2006

  Название диссертации "Компьютерное моделирование методом Монте-Карло физических процессов формирования и модификации многокомпонентных полупроводниковых структур"
  Защитился 5.10.2006, специальность 01.04.07 "физика конденсированного состояния"

• СПбГПУ (Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; ЛПИ; ЛГПТИ), Санкт-Петербург, Магистр

  ф-т Физико-технический; ФТФ

  2001 — 2003

  диплом «с отличием», средний балл 5.0

• СПбГПУ (Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; ЛПИ; ЛГПТИ), Санкт-Петербург, Бакалавр

  ф-т Физико-технический; ФТФ

  1997 — 2001

  диплом «с отличием», средний балл 4.8

• лиц. 566, ФТШ при ФТИ, Санкт-Петербург

  1995 — 1997, класс выпуска: 11 «Б»

• гимн. 610, классическая, Санкт-Петербург

  1991 — 1995, класс выпуска: 9

• гимн. 52, Санкт-Петербург

  1987 — 1991, класс выпуска: 5